抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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当社は,汎用性の高い成膜方法であるEB(電子ビーム)蒸着法を用い,有機EL(electroluminescence)素子の有機層上にAl電極を低ダメージ,且つ低温で高速成膜する装置を開発した。EB蒸着による有機EL素子のAl電極成膜において,主なダメージ因子であるX線と反射電子の低減を図った。X線量低減のためにEBの加速電圧を下げ,反射電子量低減のためにルツボ周りの磁場最適化と反射電子トラップの設置を行い,さらに成膜高速化のためにCハースライナーとリフレクタを用いてAl材料とCuルツボの断熱を強化することにより,抵抗加熱蒸着法を用いて作成した素子とほぼ同等の素子特性を得ることができた。この時の成膜速度は抵抗加熱蒸着法の約8倍であり,さらに蒸着時の基板温度は抵抗加熱蒸着法より20°C以上低い40°C以下に抑制されることがわかった。(著者抄録)