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J-GLOBAL ID:201202200682031227   整理番号:12A1338453

電子ビームリソグラフィーによって調製した高配向性熱分解グラファイト上の白金ナノドットアレイに関するインサイチュ電気化学STM研究

In situ electrochemical STM study of platinum nanodot arrays on highly oriented pyrolythic graphite prepared by electron beam lithography
著者 (7件):
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巻: 606  号: 23-24  ページ: 1922-1933  発行年: 2012年12月 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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電子ビームリソグラフィーおよび引き続くスパッタリングによって調製した高配向性熱分解グラファイト(HOPG)上で,(30±5)nmの平均直径および3-5nmの高さをもつ白金ドットで構成されるモデル電極を調製した。このPtナノドットアレイは,空気中および硫酸電解質中での走査トンネル顕微鏡(STM)測定の間,安定であり,HOPG表面上にドットを固定するアンカーが存在することを示している。電気化学STMを用いて,電位誘起Pt,炭素およびPt影響炭素腐食の周囲条件下の0.5M硫酸中でのインサイチュの可視化を行った。定電位ホールド実験により,Ptドットが,E >1.4V vs. SHEの電極電位で消失し始めることを示した。時間と電位の増大とともに,元々のドットパターンに一致するホールパターンがHOPG底面上に出現する。HOPG基板の腐食および剥離もインサイチュで続き得る。電位ホールド統計に比べて,電位サイクル実験ではPtドットの崩壊が加速されるようである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  物理化学一般その他 

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