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J-GLOBAL ID：201202200835520079   整理番号：12A0549337

プラズマ暴露した多孔質有機シリケートガラスの時間依存絶縁破壊

Time-dependent dielectric breakdown of plasma-exposed porous organosilicate glass

著者 (6件)： NICHOLS M. T. (Plasma Processing & Technol. Lab. and Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison ...) ,  SINHA H. (Plasma Processing & Technol. Lab. and Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison ...) ,  WILTBANK C. A. (Plasma Processing & Technol. Lab. and Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison ...) ,  ANTONELLI G. A. (Novellus Systems, Tualatin, Oregon 97062, USA) ,  NISHI Y. (Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  SHOHET J. L. (Plasma Processing & Technol. Lab. and Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Wisconsin-Madison ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 112905-112905-4  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間依存絶縁破壊(TDDB)は低κ有機シリケート絶縁体に主要な関心事である。TDDB劣化に及ぼすプラズマ暴露の影響を調べるために,多孔質SiCOHについてプラズマ暴露前後で絶縁破壊寿命を測定した。毛管アレイ窓を用いて荷電粒子と真空紫外(VUV)フォトン衝突を分離した。VUVフォトンに,及びVUVフォトンとイオン衝突との組み合わせに暴露して試料は絶縁破壊時間が著しく短くなる。VUVフォトンとイオン衝突に暴露した試料はVUVフォトンのみに暴露した試料と比較して絶縁破壊時間がより短くなった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多孔質体 ,  *有機ガラス ,  ケイ酸塩ガラス ,  プラズマ処理 ,  *絶縁破壊 ,  Weibull分布 ,  時間依存性 ,  真空紫外スペクトル ,  照射 ,  イオン照射 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： TDDB ,  光子ビーム照射

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ暴露 ,  多孔質 ,  シリケートガラス ,  時間依存 ,  絶縁破壊