文献

J-GLOBAL ID：201202200862612996   整理番号：12A1727464

層毎集合した酵素多層の抵抗スイッチングメモリ特性

Resistive switching memory properties of layer-by-layer assembled enzyme multilayers

著者 (4件)： BAEK Hyunhee (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chanwoo (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LIM Kwang-il (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Jinhan (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 15  ページ： 155604,1-9  発行年： 2012年04月20日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 乾燥リゾチーム(LYS)膜の抵抗の可逆的変化を,外部印加電圧による電荷の捕獲/解放の結果として生成出来ることを示した。このような抵抗変化を利用すれば,LYSを不揮発性記憶素子用の抵抗スイッチングアクティブ材料として使用可能になる。本研究では,多層集合法を用いて,陽イオン性LYSと陰イオン性ポリスチレンスルホン酸(PSS)層を,交互にPt被覆シリコン基板上に堆積させた。続いて,メモリ様素子を作製するためにLYS/PSS多層膜のトップ表面にトップ電極を堆積させた。LYS/PSS多層膜素子は10²以上のオンオフ電流比,100nsの高速スイッチング速度,および安定な性能を持つ典型的な抵抗スイッチング特性を示した。さらに,繰り返しLYS層間に絶縁性高分子電解質(PE)を挿入することにより,約10⁶の高いオンオフ比と低レベル消費電力とを達成でき,著しくメモリ性能を増強できることがわかった。

シソーラス用語： *リゾチーム ,  *ポリスチレンスルホン酸 ,  高分子電解質 ,  スイッチング ,  *電気抵抗率 ,  *不揮発性メモリ ,  多層 ,  *高分子薄膜 ,  電場効果 ,  基板 ,  ケイ素 ,  被覆層 ,  白金 ,  比率 ,  消費電力 ,  電流電圧特性 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  低消費電力 ,  抵抗スイッチング

分類 (3件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 層 ,  集合 ,  酵素 ,  多層 ,  抵抗スイッチングメモリ