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J-GLOBAL ID：201202200871156383   整理番号：12A0963601

InNとIn_1-xGa_xN:Hall移動度の計算および合金不規則性と転位散乱の影響

InN and ln_1-X Ga _X N: calculation of hall mobilities and effects of alloy disorder and dislocation scatterings

著者 (3件)： AYDOGU Senem (Dumlupinar Univ., Physics Dep., Kutahya, TUR) ,  AKARSU Mustafa (Eskisehir Osmangazi Univ., Physics Dep., Eskisehir, TUR) ,  OZBAS Omer (Eskisehir Osmangazi Univ., Physics Dep., Eskisehir, TUR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 4  ページ： 347-352  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反復法によりInNとIn_1-xGa_xNのHall移動度を計算する。この計算では,すべての重要な散乱メカニズムを考慮する。30~600Kの温度の範囲において,10¹⁷cm^-3のキャリア濃度のInNのHall移動度に及ぼす転位散乱の影響を調査する。InNのHall移動度は,転位の密度の増加にともなって減少した。77Kと300Kでx(組成)が0.0から1.0まで変化するにしたがいIn_1-xGa_xNの移動度に対する転位散乱と合金不規則性の依存性を調査する。In_1-xGa_xNのHall移動度が転位の散乱のために300Kでx=0.3まで,77KでX=0.5まで減少することが観測された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  転位【結晶】 ,  *Hall移動度 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： 窒化インジウムガリウム ,  窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： InN ,  Hall移動度 ,  計算 ,  合金 ,  不規則性 ,  転位散乱