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J-GLOBAL ID：201202200902872902   整理番号：12A1212809

負バイアス-温度ストレス下での捕獲数と生成時間分布の評価とモデリング

Characterization and modeling of trap number and creation time distributions under negative-bias-temperature stress

著者 (3件)： CHIU Jung-piao (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300 ...) ,  LI Chi-wei (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300 ...) ,  WANG Tahui (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 082906-082906-3  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負バイアス温度不安定性(NBTI)ストレス下でのp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(pMOSFETs)における個々の捕獲電荷の生成及び捕獲数を調べた。捕獲電荷生成の特性時間は小面積のpMOSFETで時間数ディケードに渡って分散しており,これはNBTIの反応拡散(RD)モデルの活性化エネルギー分布に起因いている。RDモデルと導いた活性化エネルギ分布を組合せた統計モデルを開発して異なるNBTIストレス時間でしきい電圧シフトの分布を計算した。このモデルは測定結果と非常に良く一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  酸化ハフニウム ,  電荷 ,  電圧 ,  閾値 ,  時間依存性 ,  拡散律速反応 ,  活性化エネルギー ,  関数 ,  統計模型 ,  *キャリア捕獲
準シソーラス用語： 捕獲電荷 ,  バイアス電圧 ,  確率分布関数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイアス ,  温度ストレス ,  捕獲数 ,  時間分布 ,  評価 ,  モデリング