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J-GLOBAL ID:201202201035248580   整理番号:12A0652671

ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)薄膜において近赤外-可視吸収,固有な局所抵抗と全体的シート抵抗との間の相関

Correlation between near infrared-visible absorption, intrinsic local and global sheet resistance of poly(3,4-ethylenedioxy-thiophene) poly(styrene sulfonate) thin films
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資料名:
巻: 100  号: 15  ページ: 153301-153301-3  発行年: 2012年04月09日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)薄膜の通常の誘電関数を,分光エリプソメトリと光熱偏向分光法の組み合わせを用いて測定した。この組み合わせ方法により,薄膜の高感度光学特性評価が可能になった。したがって,弱いサブバンド検出とバンド内吸収も検出ができる。これらの自由な電荷キャリアのバンド内遷移を,Drude型発振器を使用してモデル化し,PEDOT:PSSの固有抵抗値を導いた。2つの異なる型のPEDOT:PSSとアニーリング温度を変えた試料について,これらの光学的に導いた抵抗を,4プローブ測定装置により決定したそれと比較した。温度が180°Cよりも低温のアニーリング温度では,光学的測定と電気的測定の間の良好な一致が得られた。したがって,提案した,2つの光学的方法の組み合わせは,有機層の電気抵抗を決定するのに適していると結論した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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有機化合物の電気伝導  ,  その他の光学的効果  ,  光物性一般 
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