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J-GLOBAL ID：201202201093342340   整理番号：12A0895380

AlInN/GaNから成るヘテロ構造における光励起キャリアのダイナミクス

Photoexcited carrier dynamics in AlInN/GaN heterostructures

著者 (7件)： LIUOLIA V. (KTH Royal Inst. of Technol., School of Information and Communication Technol., Electrum 229, 16440 Kista, SWE) ,  MARCINKEVICIUS S. (KTH Royal Inst. of Technol., School of Information and Communication Technol., Electrum 229, 16440 Kista, SWE) ,  BILLINGSLEY D. (Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA) ,  SHATALOV M. (Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA) ,  YANG J. (Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA) ,  GASKA R. (Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA) ,  SHUR M. S. (Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, and Center of Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 24  ページ： 242104-242104-4  発行年： 2012年06月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解光ルミネセンス(PL)分光法および走査型近接場PL分光法によって,Al_0.86In_0.14N/GaN から成るヘテロ構造における光励起キャリアダイナミクスと局在ポテンシャルを研究した。GaNおよびAlInNにおけるPL強度の大きな違い,およびAlInNにおけるPLの短い減衰時間とGaNにおけるPLの素早い立ち上がりは,光励起された正孔がサブバンドギャップ状態を経由してAlInNからGaNへ効率良く移動することを示唆している。サブバンドギャップ状態は,拡張欠陥とInクラスタに帰着する。近接場PLの走査測定結果から,局在状態の直径および局在状態間の距離は100nm以下であることが分かった。GaNに関するPLの波長変化は,ヘテロ構造界面における電場の不均一性に起因することが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  光ポンピング ,  *光ルミネセンス ,  放射強度 ,  減衰時間 ,  インジウム ,  クラスタ ,  近接場 ,  局在状態
準シソーラス用語： 光励起 ,  *窒化アルミニウムインジウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  光励起 ,  キャリア ,  ダイナミクス