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J-GLOBAL ID：201202201094439534   整理番号：12A1216933

リソグラフィーとエッチ工程の統合による誘導自己組織化を用いたパターンのスケーリング

Pattern Scaling with Directed Self Assembly Through Lithography and Etch Process Integration

著者 (12件)： RATHSACK Benjamen (Tokyo Electron America, Inc., TX, USA) ,  SOMERVELL Mark (Tokyo Electron America, Inc., TX, USA) ,  HOOGE Josh (Tokyo Electron America, Inc., TX, USA) ,  MURAMATSU Makato (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  TANOUCHI Keiji (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  KITANO Takahiro (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  NISHIMURA Eiichi (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Yamanashi, JPN) ,  YATSUDA Koichi (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAGAHARA Seiji (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  IWAKI Hiroyuki (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  AKAI Keiji (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Takashi (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8323  ページ： 83230B.1-83230B.14  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々なデバイス応用に適応する広範囲の誘導自己組織化(DSA)技術を述べた。IMECとの共同研究を行い,化学及びグラフォエピタクシー工程においてポリ(スチレン-b-メタクリル酸メチル)を用いて12.5及び14nmの線/間隔パターンを形成できた。300mmウエハに誘導DSAを適用し,最大25%超のプリパターン(PP)露光が可能なことを実証した。ポリ(スチレン-b-メタクリル酸メチル)孔収縮プロセスを用いて露光済PP孔を30nm未満にできた。

シソーラス用語： リソグラフィー ,  エッチング ,  システムインテグレーション ,  *自己組織化 ,  エピタクシー ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ポリスチレン ,  *回路パターン形成 ,  バイアホール ,  穴 ,  *ナノメータ加工

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： リソグラフィー ,  エッチ ,  統合 ,  誘導 ,  自己組織化 ,  スケーリング