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J-GLOBAL ID：201202201257982338   整理番号：12A0906204

Cu(Cr)-ダイアモンドコンポジット中間層を用いたダイアモンド膜と銅基板間の改善された界面密着性

Improved interfacial adhesion between diamond film and copper substrate using a Cu(Cr)-diamond composite interlayer

著者 (5件)： QIU W.q. (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN) ,  LIU Z.w. (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN) ,  HE L.x. (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN) ,  ZENG D.c. (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN) ,  MAI Y.-w. (Centre for Advanced Materials Technol. (CAMT), School of Aerospace, Mechanical and Mechatronic Engineering (J07) ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 81  ページ： 155-157  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最初にCu中に少量(0.05-0.1wt.%)のクロム(Cr)を含むCu-ダイアモンドコンポジット層を電気めっきし,次いでホットフィラメント化学気相堆積(HFCVD)によりコンポジット中間層上に連続的にダイアモンド膜を成長させて,大面積のダイアモンド膜を銅(Cu)基板上に作製することに成功した。界面特性を走査電子顕微鏡とインデンテーション試験により詳細に研究した。結果は,この新しいアプローチを用いることによって,ダイアモンドコーティングが,HFCVD後の急速冷却時に基板に対して堅固に密着できることを示した。Cu-ダイアモンド中間層へのCrの添加と,Cu(Cr)母相中に深くダイアモンド粒子を固着することが,コーティングと基板の間の著しく改善された界面密着の要因である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  蒸着膜 ,  薄膜成長 ,  *薄膜 ,  被覆 ,  *密着性 ,  微細構造 ,  押込硬さ ,  表面構造 ,  *電気めっき ,  基板 ,  金属箔 ,  銅 ,  層 ,  ダイヤモンド ,  *銅合金 ,  界面 ,  クロム添加合金 ,  *複合めっき ,  *多層膜
準シソーラス用語： HFCVD ,  *ダイヤモンド膜 ,  中間層 ,  銅基板

分類 (3件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  Cr ,  中間層 ,  ダイアモンド膜 ,  銅基板 ,  界面 ,  密着性