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J-GLOBAL ID:201202201388804567   整理番号:12A0850421

パルスレーザー蒸着法による高い結晶性を有するLiCoO2エピタキシャル膜の高速度成長

High-Rate Growth of High-Crystallinity LiCoO2 Epitaxial Thin Films by Pulsed Laser Deposition
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 055502.1-055502.3  発行年: 2012年05月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザー蒸着法はターゲットと成長した膜との間の組成のずれが比較的小さいので,複雑な酸化薄膜を形成するのに広く用いられている。そのずれは,小さいが完全には抑えきれず,アブレーションの条件に強く依存している。さらに,リチウムは酸素よりも軽いため,リチウム化合物の場合にはガス圧が影響する。言い換えれば,ターゲットと成長した膜との組成の相違はこれらのパラメータを調整することにより,制御可能である。本研究において,組成の制御によってリチウム過剰のターゲットから化学量論的なLiCoO2を成長することに成功した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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