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J-GLOBAL ID：201202201420824788   整理番号：12A1287285

液滴エピタキシーにより作製した高密度のInGaAs/GaAs量子ドット構造における湿潤層形成の成長温度依存性

Growth-Temperature Dependence of Wetting Layer Formation in High Density InGaAs/GaAs Quantum Dot Structures Grown by Droplet Epitaxy

著者 (7件)： ZUERBIG Verena (Univ. Kassel, Kassel, DEU) ,  BUGAEW Natalia (Univ. Kassel, Kassel, DEU) ,  REITHMAIER Johann Peter (Univ. Kassel, Kassel, DEU) ,  KOZUB Michal (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  MUSIAL Anna (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  SEK Grzegorz (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  MISIEWICZ Jan (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 8,Issue 1  ページ： 085501.1-085501.4  発行年： 2012年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液滴エピタキシーにより形成された自己組織化したInGaAs/GaAs量子ドット構造における湿潤層形成の成長温度依存性を最大500°Cまで研究した。InGaAsの湿潤層の電子,重いホール及び軽い正孔の遷移のエネルギーは,非接触電界反射分光法により調べた。湿潤層の形態に成長温度の強い影響が明確に観察された。最も低い成長温度では,湿潤層は全く検出されなかった。ドットの構造特性および光学特性に及ぼす基板温度の影響についても検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 層 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  電子 ,  電界反射 ,  モルフォロジー ,  エピタクシー ,  *温度依存性 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： エレクトロリフレクタンス ,  *液滴エピタキシー ,  軽い正孔 ,  自己構築 ,  重い正孔 ,  成長温度 ,  遷移 ,  濡れ層

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y)

引用文献 (17件)：

• 1) C. Zhao, Y. H. Chen, B. Xu, P. Jin, and Z. G. Wang: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 033112.
• 2) T. Mano, T. Kuroda, K. Misuishi, T. Noda, and K. Sakoda: J. Cryst. Growth 311 (2009) 1828.
• 3) N. Koguchi, S. Takahashi, and T. Chikyow: J. Cryst. Growth 111 (1991) 688.
• 4) T. Mano, T. Kuroda, M. Yamagiwa, G. Kido, K. Sakoda, and N. Koguchi: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 183102.
• 5) N. Koguchi and K. Ishige: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 2052.

タイトルに関連する用語 (9件)： 液滴エピタキシー ,  作製 ,  高密度 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  湿潤層 ,  成長 ,  温度依存性