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J-GLOBAL ID:201202201788990190   整理番号:12A0715046

高出力GaN系発光ダイオードの熱管理の改善

Improvement of thermal management of high-power GaN-based light-emitting diodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 861-865  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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各種のダイ接着材料を用いた高出力発光ダイオード(LED)デバイスの熱管理を解析する。三つのタイプのダイ接着材料,即ち銀ペースト,Sn-3wt.%Ag-0.5wt.%Cu(SAC305)はんだ,カーボンナノチューブ(CNT)を少量添加したSAC305はんだを試験する。熱赤外線画像および熱過渡解析からそれぞれ得たLEDデバイスの全熱抵抗および使用中のLEDチップの温度を比較することで熱管理を解析する。CNTの高い熱伝導度により,SAC305へのCNTの添加はLEDデバイスの全熱抵抗およびチップ温度を低減させ,それ故にLEDデバイスの熱管理が改善される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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発光素子 
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