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J-GLOBAL ID：201202202266012453   整理番号：12A1712005

透明導電性酸化物のための反応性マグネトロンスパッタリング過程での負酸素イオン形成

Negative oxygen ion formation in reactive magnetron sputtering processes for transparent conductive oxides

著者 (2件)： WELZEL Thomas (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. Solare Brennstoffe, Hahn-Meitner-Platz 1, D-14109 ...) ,  ELLMER Klaus (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Inst. Solare Brennstoffe, Hahn-Meitner-Platz 1, D-14109 ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 6  ページ： 061306-061306-12  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギー分解質量分光法によりAr/O₂ガス混合物における反応性d.c.マグネトロンスパッタリングを調べた。透明な導電性酸化物薄膜堆積にとって重要な,異なる金属標的(Mg,Ti,Zn,In,InSn,そしてSn)を用いて,負イオン,主として高エネルギーO^-の形成を研究した。この負酸素イオンは薄膜中に放射線損傷を誘起すると考えられる。それらのエネルギー分布のほかに,異なる標的材料と比較してそれらの強度に対してこれらのイオンを特に調べた。比較可能性を実現するために,種々な校正因子を導入しなくてはならなかった。それらを適用した後に,標的材料に対して負イオン生成の主要な違いを観測した。特にO^-の強度は約2桁異なっていた。これらの違いが,標的シースにおいてそれらのエネルギーを獲得するイオンからほとんど排他的に生じることを示した。これらはスパッタリング過程あるいは標的での反射から付加的エネルギーを獲得するのかもしれない。しかしながら,低エネルギー負イオンは標的材料の変化によりそれほど影響されなかった。O^-形成に関する結果を標的からのスパッタリング速度の観点から検討し,負イオン形成の模型と比較した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  反応性スパッタリング ,  *アニオン ,  混合気体 ,  アルゴン ,  酸素 ,  *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  質量スペクトル ,  エネルギー分布 ,  質量分析 ,  イオン
準シソーラス用語： イオンエネルギー分布 ,  酸化物薄膜 ,  酸素イオン ,  透明導電性酸化物 ,  反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  質量分析  (CC03013N) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 透明導電性酸化物 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  過程 ,  酸素イオン