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J-GLOBAL ID：201202202278878812   整理番号：12A1637356

シアノ架橋型二金属集成材の光磁性

Photomagnetism in Cyano-Bridged Bimetal Assemblies

著者 (4件)： OHKOSHI Shin-ichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHKOSHI Shin-ichi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TOKORO Hiroko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TOKORO Hiroko (NEXT, JSPS, Tokyo, JPN)
資料名： Accounts of Chemical Research  (Accounts of Chemical Research)
巻： 45  号： 10  ページ： 1749-1758  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0966A  ISSN： 0001-4842  CODEN： ACHRE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らの研究室で開発されたシアノ架橋型二金属集成材を記述する。CuMo,RbMnFe,CoWは,光で金属-金属の電荷移動(MM′CT)を介して,そしてFeNbは光でスピン交差を介して,磁化する。CuMo系の磁化は,473nmの光照射でMo(IV)からCu(II)へのMM′CTによりCu(I)Cu(II)Mo(V)を生じてT_C25Kに強まり,532,785,840nmの光照射で逆過程により弱まる。RbMnFeの磁化は,532nmの光照射でMn(II)Fe(III)からMn(III)Fe(II)にMM′CTして強まり,410nmの光照射で弱まる。CoWの磁化は,840nmでCo(II)-W(V)からCo(III)-W(IV)に変化してT_C=40K,H_c=12000Oeに強まり,532nmで弱まる。FeNbの磁化は,Fe(II)(HS)とNb(IV)の間でのCNブリッジを介して調節され,T_C=20K,H_c=240Oeだった。これらの光スイッチング磁石が光磁気メモリや光コンピュータなどの新たな光記録技術につながる可能性がある。

シソーラス用語： 磁化 ,  光照射 ,  可視光 ,  *磁石 ,  二核錯体 ,  シアノ錯体 ,  クロスオーバー効果 ,  スピン ,  電荷移動 ,  電荷移動錯体
準シソーラス用語： 可視光照射 ,  *光スイッチ磁石 ,  二金属錯体 ,  スピン交差 ,  配位子-金属電荷移動

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (3件)： シア ,  架橋 ,  集成材