文献

J-GLOBAL ID：201202202653936485   整理番号：12A0233497

DCアーク放電のイオンプレーティングでデポジットしたGaドープZnO膜の耐熱性:デポジション時のO₂流量の効果

HEAT RESISTANCE OF GA-DOPED ZNO FILMS DEPOSITED BY ION-PLATING WITH DC-ARC DISCHARGE: IMPACT OF O₂ FLOW RATE DURING DEPOSITION

著者 (4件)： MAKINO Hisao (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  YAMADA Takahiro (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  YAMAMOTO Naoki (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  YAMAMOTO Tetsuya (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 35th Vol.4  ページ： 2459-2462  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DCアーク放電イオンプレーティングによるGaドープZNO(GZO)膜の耐熱性に対するデポジション時の酸素流量と雰囲気の影響を調べた。GZO膜の電気特性は酸素流量で変化し,最小抵抗は11sccmの酸素流量で得られた。GZO膜はN₂ガス中で400°Cまで,大気中では3×10^-4Ωcmの低い比抵抗を保った。アニーリング温度が高くなると,クリテシカル温度までキャリア濃度は減少しHall移動度は増加する。クリティカル温度以上ではキャリア濃度とHall移動度は共に減少する。クリティカル温度以下であっても光透過スペクトルは熱アニーリングに影響される。

シソーラス用語： 透明導電膜 ,  *酸化亜鉛 ,  アーク放電 ,  *イオンめっき ,  *耐熱性 ,  ガリウム ,  ドーピング ,  流量 ,  電気抵抗率 ,  Hall移動度 ,  透過率
準シソーラス用語： GZO【酸化物】 ,  ZnO薄膜 ,  イオンプレーティング ,  光透過率 ,  酸素流量 ,  比抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： DC ,  アーク放電 ,  イオンプレーティング ,  デポジット ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  耐熱性 ,  O2 ,  流量