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J-GLOBAL ID:201202202656786980   整理番号:12A1523420

HF/HNO3混合物中でのウエット化学エッチング中におけるシリコンの酸化に対する質量および電子平衡

Mass and Electron Balance for the Oxidation of Silicon during the Wet Chemical Etching in HF/HNO3 Mixtures
著者 (4件):
資料名:
巻: 116  号: 38  ページ: 20380-20388  発行年: 2012年09月27日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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2つの異なる手法を選択し,濃厚HF/HNO3混合物中でのシリコンのウエット化学エッチングの化学量論を研究した。同時に,シリコンのエッチングによって形成される水素の量の平行測定をおこない,エッチング溶液および水素含有量の定量分析からの組み合わせ結果によって,HF/HNO3混合物によるシリコンのウエット化学エッチングのはじめての質量および電子平衡が得られた。HNO3-リッチHF/HNO3混合物中では,確立された化学量論が確認できず,1モルのSiを酸化させるためにおよそ1.1molのHNO3が必要であり,過剰なHNO3はエッチング中でのN(III)種の大規模な蓄積および窒素酸化物の大規模な形成を導いた。印加された酸化剤に対する水素末端化シリコン表面の反応性に基づき,アルカリ性エッチング,HF媒体中での電気化学的エッチング,および濃厚HF/HNO3混合物中でのエッチングを包含した包括的な取り扱いを提案した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  エーロゾル  ,  分子化合物 

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