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J-GLOBAL ID：201202202936005038   整理番号：12A0507521

低圧プラズマ溶射-CVD過程でのプラズマジェット-基板の相互作用

Plasma Jet-Substrate Interaction in Low Pressure Plasma Spray-CVD Processes

著者 (4件)： GUITTIENNE Ph. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Centre for Res. in Plasma Physics (CRPP), Lausanne, CHE) ,  GRANGE D. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Centre for Res. in Plasma Physics (CRPP), Lausanne, CHE) ,  HOLLENSTEIN Ch. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Centre for Res. in Plasma Physics (CRPP), Lausanne, CHE) ,  GINDRAT M. (Sulzer Metco Switzerland AG, Wohlen, CHE)
資料名： Journal of Thermal Spray Technology  (Journal of Thermal Spray Technology)
巻： 21  号： 2  ページ： 202-210  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W0482A  ISSN： 1059-9630  CODEN： JTTEE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ溶射の従来の設備は,低圧運転に適合させることができ,PECVDのような処理が実行できる。トーチで発生したプラズマジェットを,速い対流速度と高いガス温度でキャラクタライズした。これらの特性の,堆積過程への影響を,簡単な理論的考察の枠組みで調査し,SiO_xの堆積で得られた,様々な実験結果で例示した。この研究の結論によると,堆積過程は,基板表面への拡散効果で支配された。すなわち,堆積プロフィールと析出速度は前駆体密度と基板表面でのガス温度で決定された。ジェットの高い速度は,堆積機構で直接的な役割を演じなかった。しかし,この高い速度によって,前駆体の基板まで輸送が効率的になり,堆積に利用可能な前駆体密度を大きく増加した。Copyright 2011 ASM International Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマ溶射 ,  *化学蒸着 ,  *プラズマジェット ,  *基板 ,  *酸化ケイ素 ,  前駆体 ,  堆積 ,  密度 ,  プラズマトーチ ,  固体内拡散 ,  セラミック被覆 ,  輸送 ,  薄膜 ,  熱伝達 ,  被覆層 ,  プラズマCVD ,  低圧 ,  スプレー装置
準シソーラス用語： 溶射ガン

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低圧プラズマ溶射 ,  CVD ,  過程 ,  プラズマジェット ,  相互作用