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J-GLOBAL ID：201202202968319590   整理番号：12A1212840

ナノスケール構造からのInGaN多重量子井戸発光ダイオードの物理的性質の分析

Analyzing the physical properties of InGaN multiple quantum well light emitting diodes from nano scale structure

著者 (4件)： WU Yuh-renn (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics and Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...) ,  SHIVARAMAN Ravi (Materials Departments, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  WANG Kuang-chung (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics and Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...) ,  SPECK James S. (Materials Departments, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 083505-083505-4  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 私たちは,多重量子井戸(QW)の発光ダイオード(LED)用の物理特性に及ぼすナノスケールインジウム変動の影響について報告する。原子プローブトモグラフィにより市販グレードc面LEDを分析し,インジウム組成分布を取出した。揺らぎと量子井戸数の影響を,非常に細かいメッシュを用いる2次元Poissonソルバとドリフト-拡散ソルバーによって解析し,実験結果と単純な正規量子井戸モデルと比較した。研究から,インジウム変動がデバイスの内部量子効率,ドループ動作,および電流-電圧曲線に著しく影響を与えるこが示される。インジウム変動の影響を含めると,デバイス性能を良好に予測する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  化合物半導体 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  半導体薄膜 ,  *インジウム ,  *ゆらぎ ,  量子効率 ,  応用プログラム ,  トモグラフィー
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  内部量子効率 ,  ソルバ ,  原子プローブトモグラフィ

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  発光ダイオード ,  物理的性質 ,  分析