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J-GLOBAL ID：201202203078124208   整理番号：12A0887081

和周波数発生分光法及び顕微鏡法によるSi(111)1×1表面からの水素脱着研究

Hydrogen desorption from a Si(111)1×1 surface studied by sum frequency generation spectroscopy and microscopy

著者 (6件)： HIEN Khat Thi Thu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Nomi, Ishikawa, JPN) ,  MIYAUCHI Yoshihiro (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Nomi, Ishikawa, JPN) ,  MIYAUCHI Yoshihiro (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI Masahiro (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Nomi, Ishikawa, JPN) ,  MIZUTANI Goro (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Nomi, Ishikawa, JPN) ,  MIZUTANI Goro (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 6  ページ： 662-665  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)1×1表面からの等温水素脱着を,和周波数発生(SFG)測定と顕微鏡観測を結合した方法を用い,約711,732,752及び771Kの各温度で測定した。加熱時間の増加に伴ってSi-H振動のピークシフトと幅の広がりが観測された。592,625,666,728及び752Kの各温度で10s加熱後に表面にはモノヒドリド化学種のSFG強度像を得ることができた。空間分解能5μmで得られたSFG強度像から水素脱着が一様に起こることを示した。この結果は,水素原子がSi(111)1×1表面を一様拡散することを示唆する。

シソーラス用語： *和周波数発生 ,  顕微鏡観察 ,  *脱着 ,  *結晶面 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： *水素脱着

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 和周波数発生 ,  分光法 ,  顕微鏡法 ,  Si ,  水素脱着 ,  研究