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J-GLOBAL ID：201202203544732418   整理番号：12A0726230

中赤外線(IR)II-VI量子カスケードレーザの開発のための分子線エピタクシー(MBE)成長の最適化

Optimization of Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growthfor the Development of Mid-Infrared (IR) II-VI Quantum Cascade Lasers

著者 (9件)： MOUG R.T. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA) ,  SULTANA H. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA) ,  YAO Y. (Princeton Univ., 08544, Princeton, NJ, USA) ,  ALFARO-MARTINEZ A. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA) ,  PENG L. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA) ,  GARCIA T. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA) ,  SHEN A. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA) ,  GMACHL C. (Princeton Univ., 08544, Princeton, NJ, USA) ,  TAMARGO M.C. (City Coll. of New York, 10031, New York, NY, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 5  ページ： 944-947  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中赤外線(IR)で動作する量子カスケード(QC)レーザが,環境センサや他の重要な技術的アプリケーション用として熱心に研究されている。InP上のワイドバンドギャップ(2.9eV)Zn_0.24Cd_0.26Mg_0.5Seに基づくII-Viサブバンド間デバイスからの中IR(3μm~5μm)エレクトロルミネセンス(EL)が報告され,これらの材料からのQCレーザの生産に拍車がかかった。これらのレーザ光発生を達成させるために,EL構造で使用される活性領域を広げる導波層を含めなければならない。この複雑な構造を成長させる初期的な試みは材料品質を劣化させる結果となった。本稿では,完全なQCレーザ構造の成長に必要な最適化ステップについて報告し,劣化した品質の可能性あるメカニズムについて考察した。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  量子井戸レーザ ,  *MBE成長 ,  リン化インジウム ,  エレクトロルミネセンス ,  赤外線 ,  活性層 ,  最適化 ,  バンドギャップ ,  電子遷移 ,  *量子カスケードレーザ
準シソーラス用語： *II-VI化合物半導体 ,  InP ,  サブバンド間遷移 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  中赤外線 ,  分子線エピタクシー

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 中赤外線 ,  Ir ,  量子カスケードレーザ ,  開発 ,  分子線エピタクシー ,  MBE ,  成長 ,  最適化