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J-GLOBAL ID：201202204259542512   整理番号：12A0549365

GaNを用いた金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタにおける閾値電圧計算のための包括的解析モデル

A comprehensive analytical model for threshold voltage calculation in GaN based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors

著者 (2件)： TAPAJNA M. (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, SVK) ,  KUZMIK J. (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, SVK)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 113509-113509-4  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体窒化ガリウム高電子移動度トランジスタに対する閾値電圧計算のための包括的解析モデルを提案する。このモデルは,各ヘテロ構造の界面/表面で分極によって誘起された電荷,表面ドナー,酸化物/障壁界面トラップ電荷,および,界面とバルクの固定酸化物電荷を含んでいる。モデルの適用可能性を,異なる障壁表面処理と異なるAl₂O₃の厚みを持つ原子層蒸着により作成したAl₂O₃とHfO₂のゲート誘電体を用いたGaN/AlGaN/GaN MOSヘテロ構造コンデンサについて実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *電圧 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  電荷 ,  化学蒸着 ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 高電子移動度トランジスタ ,  *閾値電圧 ,  *窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ ,  トラップ電荷 ,  原子層蒸着 ,  ゲート誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  酸化物 ,  高電子移動度トランジスタ ,  閾値電圧 ,  計算 ,  解析モデル