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J-GLOBAL ID：201202204455482129   整理番号：12A1174769

Pt/n型Si_0.85Ge_0.15Schottky整流器の温度依存な電流-電圧特性と逆漏れ伝導機構

Temperature-dependent Current-Voltage Characteristics and Reverse Leakage Conduction Mechanism of Pt/n-type Si_0.85Ge_0.15 Schottky Rectifiers

著者 (6件)： JANARDHANAM V. (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  CHOI Chel-Jong (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LEE Hoon-Ki (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIL Yeon-Ho (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  SHIM Kyu-Hwan (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  AHN Kwang-Soon (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 60  号： 10  ページ： 1498-1503  発行年： 2012年05月31日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 白金 ,  N型半導体 ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *Schottky障壁 ,  *整流器 ,  *電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  半導体金属接合 ,  電流 ,  電気抵抗 ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  直列抵抗

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  整流器 ,  温度依存 ,  電圧特性 ,  伝導