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J-GLOBAL ID：201202204520341007   整理番号：12A0731969

多孔性超低κ(誘電率)薄膜の誘電率

Dielectric Constant of Porous Ultra Low-κ Thin Films

著者 (5件)： JOUSSEAUME V. (CEA, Grenoble, FRA) ,  GOURHANT O. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GONON P. (CEA, Grenoble, FRA) ,  ZENASNI A. (CEA, Grenoble, FRA) ,  FAVENNEC L. (STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 5  ページ： G49-G55  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,温度の関数としてのキャパシタンス測定と屈折率測定を組合せ,多孔性SiOCH(炭化水素置換酸化ケイ素)薄膜誘電率への種々の寄与因子(電子,イオン,双極子)を調べ,寄与因子が膜の多孔度や化学特性と関連することを示した。マイクロエレクトロニクスでは設計特性を減らす傾向で,多孔性SiOCHは低誘電率材料要求に合う良い候補で,その誘電率に対する種々の寄与因子の決定と進展を調べた。誘電率の温度依存性や屈折率測定を利用し寄与因子を評価した。誘電率への寄与因子に及ぼす多孔性増加や事後処理の影響を明らかにするため,物理化学/電気特性化を行った。多孔度増加時にイオン割合の連続的低下が認められ,主にSi-O-Si濃度増加と関連することを示した。双極子寄与は細孔形成剤残留やSi-O-C結合存在と関連した。得られた結果を文献と比較し,多孔性SiOCH薄膜の誘電率のより小さな限界の存在を証明した。

シソーラス用語： *誘電率 ,  屈折率 ,  添加剤 ,  *酸化ケイ素 ,  *炭化水素 ,  *薄膜 ,  温度依存性 ,  静電容量 ,  *多孔質体 ,  電子 ,  イオン ,  双極子 ,  空隙率 ,  後処理
準シソーラス用語： 細孔形成剤 ,  キャパシタンス ,  多孔度

分類 (4件)： 非金属化合物  (CD01070R) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多孔性 ,  誘電率 ,  薄膜