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J-GLOBAL ID：201202204578833090   整理番号：12A1485734

LDMOSにおける1/f雑音に及ぼすドリフト領域の影響

Influence of Drift region on the 1/f noise in LDMOS

著者 (5件)： DIKSHIT A. A. (IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND) ,  SUBRAMANIAN V. (IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND) ,  PANDHARPURE S. J. (IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND) ,  SIROHI S. (IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND) ,  LETAVIC T. J. (IBM Microelectronics Div., NY, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 315-318  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 測定データとデバイスシミュレーションを用いて,線形領域と飽和領域におけるLDMOS素子のフリッカ雑音に及ぼすドリフト領域の影響を解析した。線形領域では,ゲート-ドレイン重複領域に起因するドリフト領域中の雑音は,より長いチャネル長素子に対して著しい。飽和領域においては,雑音は準飽和条件に依存し,チェネルが飽和する場合のみに最低値に達する。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *1/f雑音 ,  電力トランジスタ ,  計算機シミュレーション ,  データ解析 ,  モデル ,  モデリング ,  ドリフト ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *LDMOS ,  キャリアドリフト ,  デバイスシミュレーション ,  パワーMOSFET ,  *フリッカ雑音 ,  雑音モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (3件)： LDMOS ,  雑音 ,  ドリフト