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J-GLOBAL ID:201202204688684686   整理番号:12A1311505

自己組織化酸化物の還元により作製したエピタキシャルNiナノグルーブアレイの異方性磁化

Anisotropic magnetization of epitaxial Ni nanogroove-arrays prepared by reduction of self-organized oxides
著者 (9件):
資料名:
巻: 259  ページ: 208-212  発行年: 2012年10月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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直線状周期ナノグルーブアレイパターンを酸化物の自己組織化及び還元を含む独特なプロセスによりエピタキシャルNi(111)薄膜表面に作製した。Niナノパターンの形成では,レーザ分子線エピタキシ(LaserMBE)によりα-Al2O3(0001)基板上に成長させたエピタキシャルNiO(111)薄膜を出発材料として使用した。このNiO(111)膜を自己組織化ナノパターン作製のために空気中,700°Cで熱処理し,次にNiOをNiに還元するために水素雰囲気中,500°Cで熱処理した。Ni(111)ナノグルーブアレイのエピタキシ及びモーフォロジーをそれぞれex-situX線回折(XRD)及び原子間力顕微鏡(AFN)により証明した。Ni(111)ナノグルーブアレイパターンの異方性磁化挙動を超伝導量子干渉(SQUID)磁力計を使用したM-H測定により調べた。ナノグルーブに平行及び垂直な方向に対するM-H方形比はそれぞれ0.83及び0.52であった。平行ラインに沿った保磁力は約0.52kOeで,他の方向に対する値のおよそ200%であった。磁化の結果から,平行方向が形状効果のために面内配向における磁化容易軸と考えられる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  金属の磁区及び磁化過程  ,  磁性材料 

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