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J-GLOBAL ID：201202204825277570   整理番号：12A0807796

熱感度電気パラメータによる電力半導体デバイスの温度測定--レビュー

Temperature Measurement of Power Semiconductor Devices by Thermo-Sensitive Electrical Parameters-A Review

著者 (3件)： AVENAS Yvan (Univ. Grenoble, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  DUPONT Laurent (French Inst. Sci. and Technol. Transport, Dev. and Networks, Versailles, FRA) ,  KHATIR Zoubir (French Inst. Sci. and Technol. Transport, Dev. and Networks, Versailles, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 27  号： 5-6  ページ： 3081-3092  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力半導体デバイスの温度特性は,重要である。この重要なパラメータは,二つの主要な方法で使われている。一つは,電力モジュールの熱管理である。一つは,信頼性関連のための部品のエージングのモニタである。主要な方法は,1)光学的方法,12)物理的接触法,3)電気的方法である。本稿では,熱感度電気パラメータ(TSEP)による半導体電力デバイスのチップ温度を推定するのに使われる主要な方法を提供し比較した。種々の方法の解析を,広域バンドギャップ部品のTSEPに専用の特殊部分を合成した。シリコンおよび広域バンドギャップ部品における低電流のもとでの電圧測定には,TSEPが最も適しているとみられる。この方法は,一群の部品の電気特性分散のような因子に対して感度が低い。また,提案したTSEPは,機能利用中のチップ温度のロバスト測定には向いていない。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *温度測定 ,  *レビュー ,  熱感度 ,  パラメータ ,  特性 ,  熱管理 ,  回路モジュール ,  評価 ,  時効処理
準シソーラス用語： エージング処理 ,  温度特性 ,  信頼性評価 ,  電力モジュール ,  *電力半導体素子

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  温度測定,温度計  (AD06010K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱感度 ,  パラメータ ,  半導体デバイス ,  温度測定 ,  レビュー