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J-GLOBAL ID：201202205002976763   整理番号：12A0345289

0.6mW超低消費電力のInP HEMT Xバンド低雑音増幅器

InP-HEMT X-band Low-Noise Amplifier With Ultralow 0.6-mW Power Consumption

著者 (4件)： LIU Liang (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  ALT Andreas R. (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  BENEDICKTER Hansruedi (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  BOLOGNESI C. R. (ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 2  ページ： 209-211  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPベースHEMTをミリ波システムへ適用するためには,雑音指数を小さくした高分解能のミリ波信号が必要である。本稿では,雑音指数に対するゲートヘッド長(L_h)の影響を検討した。MOCVD法でInPベースHEMTを作製した。電子ビームリソグラフィーと湿式エッチングでゲート電極とゲートリセスを作製し,L_hは400~1200nmまで変化させた。ゲート電極周囲はキャビティ構造にした。本HEMTの94GHzのRF特性,ゲート抵抗及び雑音指数を調べた。この結果により,本HEMTは良好な雑音指数を有することを示した。本構造により雑音指数が1.1から0.9dBに減少した。L_hの増大と共に,ゲート抵抗は1.6から0.6Ωに減少した。

シソーラス用語： *消費電力 ,  *リン化インジウム ,  *HEMT ,  周波数帯 ,  *低雑音増幅器 ,  雑音指数 ,  ゲート【半導体】 ,  化学蒸着 ,  MOCVD ,  電子ビームリソグラフィー ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  InP ,  Xバンド ,  ゲート電極 ,  ミリ波IC ,  リセス構造 ,  湿式エッチング ,  超低消費電力

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超低消費電力 ,  InP ,  HEMT ,  Xバンド ,  低雑音増幅器