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J-GLOBAL ID：201202205019911371   整理番号：12A0238108

ZnS-SiO₂を固体電解質として使用した電気化学メタライゼーション抵抗変化型メモリデバイス

Electrochemical Metallization Resistive Memory Devices Using ZnS-SiO₂ as a Solid Electrolyte

著者 (5件)： HUANG J. Q. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  SHI L. P. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  YEO E. G. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  YI K. J. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  ZHAO R. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 98-100  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学メタライゼーション(ECM)に基づく抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(RRAM)が,フラッシュメモリの代替として注目されている。本稿では,ZnS-SiO₂を固体電解質として使用したECM-RRAMについて報告した。このデバイスは,ZnSとSiO₂の二つの固体電解質の特性を共に備えており,フォーミング無しのスイッチング,十分に低い電流,および高速性など各種の特徴を有する。直接電流擬似静的スイープにより約100のオンオフ抵抗比のバイポーラスイッチングが得られた。また,10nsまでのパルス幅による方形波を使ってセット,リセットが双安定的に可能である。10⁵の信頼性耐性と10⁶sの保持時間を達成した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *固体電解質 ,  メタライゼーション ,  硫化亜鉛 ,  二酸化ケイ素 ,  比率 ,  スイッチング ,  フラッシュメモリ ,  矩形波 ,  保持時間
準シソーラス用語： RRAM ,  ZnS ,  オンオフ比 ,  *抵抗変化型メモリ ,  方形波

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnS ,  SiO2 ,  固体電解質 ,  電気化学 ,  メタライゼーション ,  抵抗変化型メモリ