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J-GLOBAL ID：201202205071913170   整理番号：12A1173158

FinFETデバイス,6TSRAMセル,および論理回路についての単一トラップ誘起ランダム電信雑音の解析

Analysis of Single-Trap-Induced Random Telegraph Noise on FinFET Devices, 6T SRAM Cell, and Logic Circuits

著者 (5件)： FAN Ming-Long (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HU Vita Pi-Ho (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Yin-Nien (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SU Pin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHUANG Ching-Te (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 8  ページ： 2227-2234  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その優れたゲート制御,静電的完全性,および変動性により,FinFETは,ポスト22nm技術ノードの量産に対して十分な安定性と実行可能性を示している。本論文では,結合したおよび独立したゲートモードにおけるFinFETデバイス,6Tスタチックランダムアクセスメモリ(SRAM)セル安定性,および若干の基本論理回路に及ぼす単一の帯電したトラップ誘起ランダム電信雑音(RTN)の影響について解析した。三次元原子TCADシミュレーションにより,トラップ位置,EOT,および温度に対するRTNの依存性を評価した。側壁(ゲート)界面の底近傍と,ソースとドレインの間の中間領域に位置した帯電したトラップは最も著しい影響をもたらすことが観察された。EOTスケーリングと高い動作温度はRTNに対するイミュニティを改善した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  フィン ,  RAM【メモリ】 ,  論理回路 ,  *雑音解析
準シソーラス用語： FinFET ,  電信雑音 ,  イミュニティ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： FinFET ,  セル ,  論理回路 ,  トラップ ,  誘起 ,  電信雑音 ,  解析