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J-GLOBAL ID：201202205093338527   整理番号：12A0057444

分子線エピタキシーによってGaAs上に成長したInAsSb系XB_nnバリオード

InAsSb-based XB _n n bariodes grown by molecular beam epitaxy on GaAs

著者 (12件)： WEISS Eliezer (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  KLIN Olga (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  GROSSMANN Steve (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  SNAPI Noam (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  LUKOMSKY Inna (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  ARONOV Daniel (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  YASSEN Michael (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  BERKOWICZ Eyal (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  GLOZMAN Alex (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  KLIPSTEIN Philip (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  FRAENKEL Avraham (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR) ,  SHTRICHMAN Itay (SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 339  号： 1  ページ： 31-35  発行年： 2012年01月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 障壁型検出器,あるいはバリオードとしても知られている,高温動作(HOT)用途に向けた,XB_nn中間赤外(MWIR)アレイ検出器は,InAsSb/AlSbAsヘテロ構造による素子構成に基づいたものである。そのような素子では,狭いバンドギャップの活性層中に空乏層がなく,バンドギャップが狭い標準的なダイオードで存在している暗電流に関して,通常の発生-再結合(G-R)およびトラップ関与トンネリング(TAT)機構を抑制している。このことは,バリオードでは,同じバンドギャップ波長を有するダイオードの暗電流よりも低い暗電流を生じさせている。格子整合したGaSb基板上に成長したInAsSb系バリオード検出器では,150Kで約10^-7A/cm²の低い暗電流密度を示すことがすでに明らかになっている。本論文では,GaAs上に成長したバリオード構造の結晶学的,電気光学的特性を明らかにした。7.8%の格子不整合が高密度の転位を生じさせたが,それにもかかわらず,640×512ピクセル形式および15μmピッチを有する試験素子および焦点面アレイ検出器(FPAs)用の素子は,GaSb上に成長させた同様な構造と同程度の電気光学的性能であることが明らかになった。これは,格子不整合基板上に成長したInAsSb系pin型光ダイオードで報告された挙動と対照的である。その論文で観測し,TAT機構に起因した大きな漏れ電流は,GaAs上に成長したInAsSb系bariodesでは生じなかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  赤外線 ,  *赤外検出器 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  アンチモン化物 ,  ヒ化物 ,  *インジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *暗電流 ,  *素子構造 ,  漏れ電流 ,  基板 ,  アンチモン化ガリウム ,  格子整合 ,  光検出器
準シソーラス用語： 中赤外線 ,  *バリオード構造 ,  焦点面アレイ検出器 ,  障壁型検出器 ,  バリオード

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線エピタキシー ,  GaAs ,  成長 ,  InAsSb