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J-GLOBAL ID：201202205287381075   整理番号：12A0431108

電源装置用の4H-SiCの成長およびプロセスにおける欠陥制御

Defect Control in Growth and Processing of 4H-SiC for Power Device Applications

著者 (6件)： KIMOTO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FENG G. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIYOSHI T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAHARA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NOBORIO M. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA J. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 645/648  号： Pt.2  ページ： 645-650  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電源装置 ,  4H-SiC ,  成長 ,  プロセス ,  欠陥