文献

J-GLOBAL ID：201202205371594190   整理番号：12A0993955

現状におけるグラフェン高周波数エレクトロニクス

State-of-the-Art Graphene High-Frequency Electronics

著者 (11件)： WU Yanqing (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  JENKINS Keith A. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  VALDES-GARCIA Alberto (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  FARMER Damon B. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  ZHU Yu (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  BOL Ageeth A. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  DIMITRAKOPOULOS Christos (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  ZHU Wenjuan (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  XIA Fengnian (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  AVOURIS Phaedon (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  LIN Yu-Ming (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 6  ページ： 3062-3067  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅基板上に化学蒸着によりグラフェン層を形成し,PMMA補強,銅溶解除去によりCVDグラフェン膜を形成した。ウエハースケールのダイヤモンド状炭素(DLC)基板上に酸化アルミニウム層を電子ビーム蒸着し,原子層堆積によりAl₂O₃層を形成後,CVDグラフェン層を担持した(A)。DLC上にPECVDにより窒化ケイ素膜(15nm)を形成し,PECVDによりグラフェン膜をエピ成長させた(B)。A,B膜についてグランド-シグナル-グランド型(GSG)のRFトランジスタを作製した。透過型電子顕微鏡,高分解能電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。いずれの素子もカットオフ周波数>300GHzを確認した。構造の最適化により電圧および出力利得は20dBに達した。ウエハスケールの集積回路を作製し,電流電圧特性を測定した。

シソーラス用語： 銅 ,  化学蒸着 ,  *炭素材 ,  高分子膜 ,  *WSI【IC】 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  酸化アルミニウム ,  電子ビーム蒸着 ,  *プラズマCVD ,  窒化ケイ素 ,  酸化膜 ,  *エピタクシー ,  *マイクロ波集積回路 ,  *電気回路 ,  周波数特性 ,  *トランジスタ ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  遮断周波数 ,  利得 ,  電流電圧特性 ,  *グラフェン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： PECVD ,  PMMA膜 ,  *ウエハスケール集積 ,  カットオフ周波数 ,  ゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  *高周波回路 ,  *高周波集積回路 ,  高周波特性 ,  電圧利得

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 現状 ,  グラフェン ,  高周波数 ,  エレクトロニクス