文献

J-GLOBAL ID：201202205426572824   整理番号：12A0850396

分子線エピタキシーによる6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子コヒーレント成長

AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： KIKUCHI Ryosuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKUMURA Hironori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KANEKO Mitsuaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 5  ページ： 051002.1-051002.3  発行年： 2012年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC(0001)基板上に分子線エピタキシーでAlN/GaN短周期超格子(SPSL)をコヒーレントに成長した。SiC上へ高品質の5nm厚のAlN層をテンプレート層として成長し,引き続き40周期の(全膜厚:140nm)のAlN(12BL)/GaN(2BL)SPSLを成長した。SPSLはSiC上にコヒーレントに成長し,貫通転位密度(TDD)は⁸×108cm^-2と低かった。3-BL-厚のGaN層のSPSLは緩和しており,TDDは8×10¹⁰cm^-2に増加した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  *人工超格子 ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  短周期 ,  鋳型効果 ,  薄膜成長 ,  *転位密度
準シソーラス用語： コヒーレント成長 ,  貫通転位密度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• KISHINO, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1234
• IIZUKA, N. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1803
• MARTIN, G. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2541
• TCHERNYCHEVA, M. Phys. Rev. B. 2006, 73, 125347
• SCHLESSER, R. J. Cryst. Growth. 2002, 241, 416

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子線エピタキシー ,  6H-SiC ,  AlN ,  GaN ,  短周期 ,  超格子 ,  コヒーレント ,  成長