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J-GLOBAL ID：201202205455604387   整理番号：12A0437199

薄いSiGeエピ層の熱信頼性

Thermal reliability of thin SiGe epilayers

著者 (6件)： WU Ming-jhang (Dep. of Mechanical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan, TWN) ,  WEN Hua-chiang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, 30013, Taiwan, TWN) ,  CHIANG Tun-yuan (Dep. of Mechanical Engineering, Chin-Yi Univ. of Technol., Taichung 411, Taiwan, TWN) ,  TSAI Chien-huang (Dep. of Automation Engineering, Nan Kai Univ. of Technol., Nantou 54243, Taiwan, TWN) ,  HSU Wen-kuang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, 30013, Taiwan, TWN) ,  CHOU Chang-pin (Dep. of Mechanical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan, TWN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 12  ページ： 5001-5004  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeヘテロ構造は,歪みSi金属酸化物電界効果トランジスタのようなSiGeヘテロデバイスのキャリア移動度を大きく高める役目をすることができる。しかし,二つの問題,すなわちアニールしたSiGeの転位の増殖及び熱信頼性を調べることは難しい。本報では,超高真空化学蒸着法を使用してバルクSi上にSi_0.8Ge_0.2膜(厚さおよそ200nmのヘテロエピタキシャル膜)をエピタキシャル成長させた。続いて試料を800,900及び1000°Cの温度で炉結晶化した。ナノスクラッチ法を使用してランプロード下でSiGeエピタキシャル層の摩擦特性を調べ,原子間力顕微鏡を使用してスクラッチ後のモルフォロジーを調べた。パイルアップ現象の研究から膜のスクラッチ両側に大きな亀裂が観測された。アニール処理したSiGeエピ層膜の摩擦係数は小さく,より高い剪断抵抗を示唆した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  超高真空 ,  *化学蒸着 ,  ヘテロ接合 ,  ウエハ【IC】 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *転位密度 ,  信頼性 ,  引かき試験 ,  *焼なまし ,  亀裂 ,  *摩擦係数 ,  剪断強さ ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： Si基板 ,  原子間力顕微鏡観察

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： SiGe ,  エピ層