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J-GLOBAL ID：201202205628476614   整理番号：12A0302425

起伏する表面,粒子および大きなナノ粒子のトポグラフィー効果および単原子イオンスパッタリング:スパッタリング収率,実効スパッタ速度およびトポグラフィー進展

Topography effects and monatomic ion sputtering of undulating surfaces, particles and large nanoparticles: Sputtering yields, effective sputter rates and topography evolution

著者 (1件)： SEAH M. P. (National Physical Lab., Middlesex, GBR)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 2  ページ： 208-218  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1983年にYamamura等がスパッタリング収率の角度依存性の最も実在の測定を解析し,一般的なモデルを開発した。その角度依存性は,今日では絶対スパッタリング収率のための半-経験的理論と結合され,広範囲の異なる表面形の1次イオン/固体ターゲット系あるいは異なるエネルギーの単原子イオンによってスパッタされた異なる元素の粒子中での挙動を計算できる。すべての系の普遍性内において各系が考察され得るために,低および高質量の両方のターゲット原子へ影響を及ぼし,深さプロファイル中に含まれるものが,それらが使用している条件下で起こることあるいはそれらの現在あるいは将来機器能力で達成できることを容易に導き出すことができる,低および高質量の両方の1次イオンの結果によって例示された,一般的な策略を評価した。粒子上での回転の影響を異なる機器幾何学的配置に関連して議論した。よく知られている様に,回転は平坦な表面に対して非常に良い深さプロファイリングを与え,解析およびスパッタリングイオンビームが共線形でない場合にはSIMS中での粒子のプロファイリングを手助けでき,スパッタリングと解析イオンビームアジマス間での180°フリップが連続回転よりも優れていた。

シソーラス用語： *トポグラフィー【形態】 ,  *ナノ粒子 ,  *イオンビームスパッタリング ,  角度依存性 ,  深さプロフィル ,  二次イオン質量分析 ,  方位角 ,  表面構造

分類 (1件)： スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノ粒子 ,  トポグラフィー ,  単原子 ,  イオンスパッタリング ,  スパッタリング収率 ,  スパッタ ,  進展