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J-GLOBAL ID：201202205920861103   整理番号：12A0589491

高純度低転位密度GaN基板の評価(1)-HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価-

著者 (8件)： 秩父重英 (東北大 多元物質科研) ,  羽豆耕治 (東北大 多元物質科研) ,  石川陽一 (東北大 多元物質科研) ,  田代公則 (東北大 多元物質科研) ,  浪田秀郎 (三菱化学) ,  長尾哲 (三菱化学) ,  藤戸健史 (三菱化学) ,  上殿明良 (筑波大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-F12-11  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *転位密度 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *基板 ,  *陽電子消滅 ,  *光ルミネセンス ,  貫通転位 ,  拡散距離 ,  キャリア密度 ,  *蛍光寿命 ,  温度依存性 ,  *複合欠陥 ,  空格子点 ,  再結合 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： HVPE【薄膜成長】 ,  非放射再結合

分類 (3件)： 陽電子消滅  (BK16052L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高純度 ,  転位密度 ,  GaN ,  評価 ,  HVPE ,  成長 ,  陽電子消滅 ,  時間分解フォトルミネッセンス