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J-GLOBAL ID：201202205949921768   整理番号：12A0582009

迅速過酸化水素溶液処理によるZnOナノ細線電界効果トランジスターの特性評価

Characterization of ZnO Nanowire Field Effect Transistors by Fast Hydrogen Peroxide Solution Treatment

著者 (8件)： KWON Taehyeon (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  PARK Woojin (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  CHOE Minhyeok (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  YOON Jongwon (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  PARK Sangsu (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Sangchul (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  HWANG Hyunsang (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Takhee (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 3,Issue 1  ページ： 035001.1-035001.5  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,5~10s間の過酸化水素(H₂O₂,10%)溶液によりZnOナノ細線電界効果トランジスター(FET)に対して動作モードを制御する単純で迅速な方法を証明する。このH₂O₂処理を用いると,ZnOナノ細線の表面が粗化することを,透過型電子顕微鏡法像により確証した。そして光ルミネセンス(PL)データによると欠陥準位に関係する放出が増大した。したがって,H₂O₂処理したZnOナノ細線FETの閾値電圧は正のゲートバイアス方向にシフトし,空乏モードから増強モードに動作モードを移行させた。数秒の溶液処理における広い閾値シフトによりZnOナノ細線FETの動作モードを制御するためにこのH₂O₂溶液処理は有用な方法でありうる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  過酸化水素 ,  *前処理 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  閾値 ,  運転モード
準シソーラス用語： 動作モード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• 1) J. Bao, M. A. Zimmler, and F. Capasso: Nano Lett. 6 (2006) 1719.
• 2) Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3654.
• 3) J. Law and J. Thong: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 133114.
• 4) F.-S. Tsai, S.-J. Wang, Y.-C. Tu, Y.-W. Hsu, C.-Y. Kuo, Z.-S. Lin, and R.-M. Ko: Appl. Phys. Express 4 (2011) 025002.
• 5) J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law, and P. Yang: J. Phys. Chem. B 109 (2005) 9.

タイトルに関連する用語 (5件)： 過酸化水素 ,  溶液処理 ,  ZnO ,  ナノ細線電界効果トランジスター ,  特性評価