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J-GLOBAL ID：201202206072856575   整理番号：12A1711866

集束イオンビーム回路編集中に注入されたGaのモデルの電子分光による検証

Using electron spectroscopy to verify the model of Ga implanted during focused ion beam circuit editing

著者 (3件)： NILES David W. (Avago Technologies, 4380 Ziegler Road, Fort Collins, Colorado 80525) ,  SPICER Teresa (Avago Technologies, 4380 Ziegler Road, Fort Collins, Colorado 80525) ,  KEE Ronald W. (Avago Technologies, 4380 Ziegler Road, Fort Collins, Colorado 80525)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 062203-062203-9  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学分析に電子分光を用いて,集束イオンビーム回路編集作業に一般的な,電子グレードシリコン,酸化ケイ素,窒化ケイ素,及び酸窒化ケイ素中への50keV Ga⁺イオンの注入を研究した。Ga⁺線量は,自然に,低線量及び高線量領域に分かれ,二つの間に遷移的な中央領域が生じたた。低線量領域(<10¹⁶cm^-2)において,ミルされた材料の量は,サーキットの代表的な層厚に較べて小さかった(~10nm)。~0.6±0.1の注入収率,43±9nmの範囲,及び15±5の散在をもつGauss型注入モデルが,研究したすべての材料に関するデータを記述した。Ga原子は,酸化物及び窒化物に関しては酸素及び窒素と,元素ケイ素に関してはケイ素と結合した。中央領域(10¹⁶~10¹⁷cm^-2)では,Ga蓄積及び基板欠陥形成は,定常状態条件に未だ到達しないが,単純なGauss型モデルを変えた。高線量領域(>10¹⁷cm^-2)は,注入Gaが,50at.%の高い表面濃度及び~60nmの侵入深さからなる誤差関数プロファイルを想定した定常状態条件を必要とした。高線量領域において,窒化物及び酸化物中に注入されたGaは,表面において金属原子価(Ga⁰)を示し,深さと共に,次第に,窒化物及び酸化物原子価(Ga³⁺)に遷移していった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *ガリウム ,  *集束イオンビーム ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  正規分布 ,  誤差関数 ,  原子価 ,  10-100keV ,  *深さ分布 ,  *X線光電子スペクトル ,  注入量
準シソーラス用語： Gauss分布 ,  酸窒化ケイ素

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集束イオンビーム ,  編集 ,  注入 ,  Ga ,  モデル ,  電子分光 ,  検証