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J-GLOBAL ID：201202206097678043   整理番号：12A0478465

放射線による半導体デバイスへの影響

Response of semiconductor devices to radiation.

著者 (1件)： 大島武 (日本原子力研究開発機構)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 3  ページ： 216-219  発行年： 2012年03月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 宇宙には電子,プロトン,重イオンといったさまざまな放射線が存在し,それら放射線により人工衛星などの宇宙機に用いられる半導体デバイスは,誤動作・破壊,特性劣化を示す。本稿では,宇宙の放射線環境について触れた後に,それら放射線によって半導体デバイスが具体的にどのような影響を受けるかについて,太陽電池と論理大規模集積回路(Large Scale Integration:LSI)の最近の研究成果を中心に紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *宇宙線 ,  *放射線 ,  太陽電池 ,  LSI【IC】 ,  論理回路 ,  *照射損傷 ,  はじき出し損傷 ,  太陽陽子 ,  重イオン ,  電子 ,  *宇宙機 ,  *飛翔体
準シソーラス用語： *宇宙飛行体 ,  SEE【事象】 ,  *宇宙放射線 ,  半導体デバイス ,  放射損傷

分類 (5件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  放射線防護一般  (MB02010O) ,  宇宙飛行体  (QK08000Y) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (16件)：

• SIMPSON, J. A. Ann. Rev. Nucl. Part. Sci. 1983, 33, 323
• WILSON, J. W. Radiat. Meas. 1999, 30, 316
• HOLMES-SIEDLE, A. Handbook of radiation effect. 2002
• NAKAMURA, T. Terrestrial Neutron-Induced Soft Errors in Advanced Memory Devices. 2008
• YANAGAWA, Y. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2006, 53, 3575

タイトルに関連する用語 (2件)： 放射線 ,  半導体デバイス