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J-GLOBAL ID:200902286599146485   整理番号:07A0067489

重イオン照射した0.2μm SOI論理セルにおけるSETパルス幅の直接測定

Direct Measurement of SET Pulse Widths in 0.2-μm SOI Logic Cells Irradiated by Heavy Ions
著者 (13件):
資料名:
巻: 53  号: 6,Pt.1  ページ: 3575-3578  発行年: 2006年12月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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0.2μmの完全空乏型SOI技術によるNOR論理セルにおける...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体集積回路 

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