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J-GLOBAL ID：201202206120880416   整理番号：12A0807852

アンドープ半導体基板上の放射線検出用グラフェン電界効果トランジスタ

Graphene Field-Effect Transistors on Undoped Semiconductor Substrates for Radiation Detection

著者 (11件)： FOXE Michael (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  LOPEZ Gabriel (Purdue Univ., IN, USA) ,  LOPEZ Gabriel (Sandia National Lab., CA, USA) ,  CHILDRES Isaac (Purdue Univ., IN, USA) ,  JALILIAN Romaneh (Purdue Univ., IN, USA) ,  JALILIAN Romaneh (NaugaNeedles, KY, USA) ,  PATIL Amol (Purdue Univ., IN, USA) ,  ROECKER Caleb (Purdue Univ., IN, USA) ,  BOGUSKI John (Purdue Univ., IN, USA) ,  JOVANOVIC Igor (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  CHEN Yong P. (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 11  号： 3  ページ： 581-587  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンを使ったセンサは放射線検出の新しい独特なメカニズムを提供する。外部電界の関数として抵抗の鋭い変化は,グラフェンを組み込みプリアンプとして機能させる。放射線検出用グラフェンFET(GFET)を提案し解析した。検出メカニズムは,放射線とGFETのゲートアンドープ半導体吸収層(基板)との相互作用で生じる電界の局部的変化に対するグラフェンの高い感度に基づいている。モデル化に際してγ線検出に注目し,モンテカルロシミュレーションでγ線とSi吸収層の相互作用をモデル化した。電荷検知による従来検出器と比較すると,グラフェン検出器(GDR)は検出器(グラフェン)と吸収層(基板)を実質的に分離出来,GDR設計に際して吸収材料やその大きさを柔軟に選択可能である。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  炭素材 ,  *放射線検出器 ,  半導体 ,  シミュレーション ,  γ線検出 ,  プログラムパッケージ ,  Compton散乱 ,  エネルギー分解能 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： COMSOL ,  モンテカルロシミュレーション

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体基板 ,  放射線検出 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ