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J-GLOBAL ID：201202206148392891   整理番号：12A0716121

ナノワイヤの無電解めっきに用いる添加剤に関する研究

Investigation of additives for electroless plating of nanowires

著者 (4件)： BIRD Elliott J. (Dep. of Chemical Engineering Brigham Young Univ., Provo, UT 84602, USA) ,  NELSON Kyle A. (Dep. of Chemical Engineering Brigham Young Univ., Provo, UT 84602, USA) ,  HARB John N. (Dep. of Chemical Engineering Brigham Young Univ., Provo, UT 84602, USA) ,  WHEELER Dean R. (Dep. of Chemical Engineering Brigham Young Univ., Provo, UT 84602, USA)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 70  ページ： 69-75  発行年： 2012年05月30日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,ナノスケールデバイスを作製するために,特殊な制御された様式で,ナノスケールの金属パターンを非導電性基板上に沈着させることである。この目的のために,モデル系(即ち,平面上のパラジウム金属および化学的に修飾した酸化ケイ素基板)のナノスケールの薄膜層の無電解めっきに及ぼす,幾つかのめっき添加剤の影響を調べた。3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸(MPS)および1,3-プロパンジスルホン酸(PDS)などの硫黄含有分子および硫酸塩含有分子を含む一連の候補添加剤を選択して試験した。不均質な基板上の特性および沈着品質を調べる代用として,均一な表面上の比較成長速度,表面組成,形態および表面電気伝導率を用いた。MPSおよびPDSは,表面上のパラジウムの無電解シーディングおよびめっきに対して最も大きな影響を示した。本研究から,無電解めっき条件下での特殊な添加剤の利用により,パラジウム金属のナノスケールの薄い,選択的および導電性の沈着物ができることが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パラジウム ,  *沈着 ,  ナノワイヤ ,  ナノ構造 ,  パターン形成 ,  *無電解めっき ,  添加剤 ,  *有機硫黄化合物 ,  硫酸塩 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  基板 ,  成長速度 ,  化学組成 ,  形態 ,  電気伝導率 ,  核形成 ,  *固体素子
準シソーラス用語： シーディング ,  *ナノデバイス ,  パターン化 ,  表面組成

分類 (4件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  脂肪族スルホン酸・スルフィン酸・スルフェン酸  (CF03160J) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

物質索引 (2件)： 1,3-プロパンジスルホン酸 ,  3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノワイヤ ,  無電解めっき ,  添加剤 ,  研究