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J-GLOBAL ID：201202206330644669   整理番号：12A0067916

非化学量論的GaAsBi/GaAs(100)分子線エピタキシー成長

Non-stoichiometric GaAsBi/GaAs (100) molecular beam epitaxy growth

著者 (6件)： BASTIMAN F. (The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR) ,  MOHMAD A.r.b. (The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR) ,  MOHMAD A.r.b. (Inst. of Microengineering and Nanoelectronics, National Univ. of Malaysia, 43000 Bangi, Selangor, Malaysia) ,  NG J.s. (The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR) ,  DAVID J.p.r (The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR) ,  SWEENEY S.j. (Advanced Technol. Inst. and Dep. of Physics, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 338  号： 1  ページ： 57-61  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-Vビスマサイドの成長は,GaAsへのBiの低い含有効率によって,金属的Bi液滴または低い層組成率の形成のどちらかを導いて,複雑になる。典型的には,この成長は,280と350°Cの間に,そして,Biの取り込みを促進するために,化学量論的Ga:As流束に近いところで,行われる。しかしながら,現在まで報告される大部分の研究も,As過剰圧力成分としてAs₂を利用する。本研究では,高温バッファー層成長のために利用している標準1:20Ga:As₄等価圧力比(BEPR)によって,As₄による成長は高Bi組成物膜を形成することがわかる。Biの継続した供給過剰が液滴の形成を生み出した後,与えられた温度で,最大値が得られるまで,Bi率対Bi:As₄BEPRが最初は線形であるとわかる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  エピタクシー ,  *MBE成長 ,  *ビスマス ,  *ヒ化ガリウム ,  *非化学量論 ,  第13族元素 ,  窒素族元素 ,  ヒ素 ,  バッファ層 ,  供給 ,  液滴 ,  比率
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  圧力比

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAsBi ,  GaAs ,  分子線エピタキシー成長