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J-GLOBAL ID：201202206343475726   整理番号：12A1074172

Sバンドにおける第2高調波での広帯域内部整合によるPAE>70%のパッケージ型GaN HEMT

Over 70% PAE packaged GaN HEMT through wideband internal matching at second harmonic in S-band

著者 (7件)： CHERON J. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  CAMPOVECCHIO M. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  BARATAUD D. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  REVEYRAND T. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  STANISLAWIAK M. (Thales Air System, Boos, FRA) ,  EUDELINE P. (Thales Air System, Boos, FRA) ,  FLORIOT D. (United Monolithic Semiconductors, Villebon sur Yvette, FRA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 13  ページ： 770-772  発行年： 2012年06月21日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sバンドにおけるレーダ用に必要な高電力付加効率(PAE)広帯域の電力HEMTを実現するため,内部ダイで見られる高調波インピーダンスを制御するGaN HEMTパッケージ合成法,即ち,パッケージ内で実現が容易なLCフィルタを用いた第2高調波でのソース整合法を提案し,この方法を20Wパッケージ型GaN HEMTに適用し,Sバンドにおける相対帯域幅30%でPAE>70%に達することを確かめた。

シソーラス用語： *レーダ ,  周波数帯 ,  高調波 ,  インピーダンス整合 ,  *HEMT ,  電力付加効率 ,  濾波器 ,  ICパッケージ
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  LCフィルタ ,  Sバンド ,  第二高調波 ,  *電力HEMT

分類 (2件)： レーダ  (ND13010H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Sバンド ,  第2高調波 ,  広帯域 ,  整合 ,  パッケージ ,  GaN ,  HEMT