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J-GLOBAL ID：201202206602408927   整理番号：12A1145213

CD-SEM臨界寸法均一性と局所オーバレイ計量の使用によるピッチ分割二重パターン形成プロセス制御の強化

Enhanced Process Control of Pitch Split Double Patterning by Use of CD-SEM Critical Dimension Uniformity and Local Overlay Metrics

著者 (7件)： HALLE Scott D. (IBM @Albany Nanotech, NY) ,  HOTTA Shoji (Hitachi America, NY) ,  KOAY Chiew-seng (IBM @Albany Nanotech, NY) ,  CHEN Shyng-Tsong (IBM @Albany Nanotech, NY) ,  KATO Takeshi (Hitachi High-Technol. Corp., Minato-ku, JPN) ,  YAMAGUCHI Atsuko (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  COLBURN Matthew (IBM @Albany Nanotech, NY)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 23rd  ページ： 321-326  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気素子検査構造と近傍のダイ内計測部位を測定するため,二つの個別ピッチ分割層間の臨界寸法(CD)幅と局所オーバレイを決定するCD走査電子顕微鏡法(SEM)を用いた。CD-SEM利用ダイ内計測法と光学的測定法の相関分析結果は,相関プロットにおけるオーバレイオフセットはピッチ分割プロセスの改善を追跡し,監視するための強力な計量であることを示した。任意位置の臨界ピッチ素子局所オーバレイはCD-SEM測定と光学的測定間で線形相関した。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *回路パターン形成 ,  *プロセス制御 ,  ピッチ【機械要素】 ,  分割 ,  オフセット ,  計量 ,  均一性 ,  局所性 ,  強化
準シソーラス用語： プロット ,  相関解析 ,  走査電子顕微鏡法 ,  臨界寸法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： CD-SEM ,  臨界寸法 ,  均一性 ,  オーバレイ ,  計量 ,  ピッチ分割 ,  二重パターン形成 ,  プロセス制御 ,  強化