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J-GLOBAL ID：201202206632982750   整理番号：12A0625149

III-V半導体表面の湿式化学的機能化: ヒ化ガリウムおよび窒化ガリウムのGrignard反応系列によるアルキル化

Wet Chemical Functionalization of III-V Semiconductor Surfaces: Alkylation of Gallium Arsenide and Gallium Nitride by a Grignard Reaction Sequence

著者 (4件)： PECZONCZYK Sabrina L. (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  MUKHERJEE Jhindan (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  CARIM Azhar I. (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  MALDONADO Stephen (Univ. Michigan, Michigan, USA)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 28  号： 10  ページ： 4672-4682  発行年： 2012年03月13日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶性のヒ化ガリウム(GaAs)(111)Aおよび窒化ガリウム(GaN)(0001)表面を連続的な湿式化学塩素活性化Grignard反応過程をとおしアルキル基で機能化した。GaAs(111)Aについては,ジエチルエーテル中のHClエッチングにより酸化物が除去され表面結合Clが生じた。また,クロロベンゼン中PCl₅処理したGaN(0001)表面におけるCl末端の存在がXPSにより確認された。Cl活性化GaAs(111)AおよびGaN(1000)表面はいずれもアルキルGrignard試薬との反応性を示し,XPSで測定されるCl信号は著しく減少する。他の実験結果を組み合わせて,アルキル求核試薬を利用して,GaAsおよびGaNの物理化学的および電気化学的性質を推測されるGa-C結合の生成をとおし改善し制御する可能性が示された。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *窒化ガリウム ,  *Grignard反応 ,  アルキル化 ,  塩素化 ,  *置換反応
準シソーラス用語： 湿式処理

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  その他の有機化学反応  (CF02100O) ,  置換反応  (CF02020B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体表面 ,  化学 ,  ヒ化ガリウム ,  窒化ガリウム ,  Grignard反応 ,  系列 ,  アルキル化