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J-GLOBAL ID：201202206651669744   整理番号：12A1547934

高密度メモリ用途の遷移金属酸化物に基づいた4F²セレクタレスクロスバーアレイ2Mb ReRAMの集積

Integration of 4F2 Selector-less Crossbar Array 2Mb ReRAM Based on Transition Metal Oxides for High Density Memory Applications

著者 (35件)： LEE Hyung Dong (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  KIM S. G. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  CHO K. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  HWANG H (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  CHOI H. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  LEE J. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  LEE S. H. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  LEE H. J. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  SUH J. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  CHUNG S.-O. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  KIM Y. S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  KIM K. S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  NAM W. S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  CHEONG J. T. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  KIM J. T. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  CHAE S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  HWANG E.-R. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  PARK S. N. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  SOHN Y. S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  LEE C. G. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  SHIN H. S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  LEE K. J. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  HONG K. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  JEONG H. G. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  RHO K. M. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  KIM Y. K. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  CHUNG S. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  NICKEL J. (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  YANG J. J. (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  CHO H. S. (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  PERNER F. (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  WILLIAMS R. S. (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  LEE J. H. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  PARK S. K. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR) ,  HONG S.-J. (Hynix Semiconductor Inc. Kyoungki-do, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2012  ページ： 151-152  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ReRAMは形状スケーラビリティおよび構造的簡易性のために次世代メモリ素子の候補として有望である。4F²セレクタレスクロスバーアレイ2Mb ReRAM検査チップをコア回路および周辺回路に集積した。高効率メモリを得るためにセルアレイ領域の下に最終復号器を置いた。メモリセルの性能はチップ水準の記録/再生動作とアレイ寸法の決定に重要な役割を果たす。材料最適化によりクロスバーアレイ動作のためにセル特性は修正される。

シソーラス用語： 酸化物 ,  遷移金属化合物 ,  *RAM【メモリ】 ,  高密度実装 ,  アレイ ,  *記憶素子
準シソーラス用語： 遷移金属酸化物 ,  *ReRAM ,  セレクタレスクロスバーアレイ

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 用途 ,  遷移金属酸化物 ,  ReRAM ,  集積