室温ボンディングで形成した新しい構造を有するウォークオフ補償BaB<sub>2</sub>O<sub>4</sub>デバイスからの紫外第二高調波の効率的な発生

HARA Kenjiro; MATSUMOTO Shinnosuke; ONDA Tomomi; NAGASHIMA Wataru; SHOJI Ichiro

文献

J-GLOBAL ID：201202206731302108 整理番号：12A0850404

室温ボンディングで形成した新しい構造を有するウォークオフ補償BaB₂O₄デバイスからの紫外第二高調波の効率的な発生

Efficient Ultraviolet Second-Harmonic Generation from a Walk-Off-Compensating β-BaB₂O₄ Device with a New Structure Fabricated by Room-Temperature Bonding

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資料名：
巻： 5 号： 5 ページ： 052201.1-052201.3 発行年： 2012年05月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

室温ボンディングにより,BaB₂O₄(BBO)の新しいウォークオフ補償構造を有する第二高調波発生デバイスを作製した。4つの1mm厚の板と0.5mm厚の付加的な入出力板からなる5mm長のデバイスが,バルクのBBO結晶と較べ,約2倍のUV第二高調波出力を発生した。さらに,このデバイスでは出力UV光のビーム形状を改善できた。これは,ウォークオフ効果によりバルク結晶では劣化する。(翻訳著者抄録)

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非線形光学

引用文献 (21件)：

ZIMMERMANN, C. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 2318
OKA, M. Proc. SPIE. 1996, 2700, 302
KONDO, K. Opt. Lett. 1998, 23, 195
FAN, Y. X. Appl. Phys. Lett. 1988, 53, 2014
WU, S. Appl. Opt. 1997, 36, 5898

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室温ボンディングで形成した新しい構造を有するウォークオフ補償BaB2O4デバイスからの紫外第二高調波の効率的な発生

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