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J-GLOBAL ID：201202206817461039   整理番号：12A0023024

単結晶ダイヤモンドにエピタキシャル成長したAlGaN/GaN HEMTの高周波高出力動作

著者 (3件)： 平間一行 (NTT 物性基礎科研) ,  谷保芳孝 (NTT 物性基礎科研) ,  嘉数誠 (NTT 物性基礎科研)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 25th  ページ： 24-25  発行年： 2011年12月07日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *ヒートシンク ,  *ダイヤモンド ,  *基板 ,  MOCVD ,  SHF【周波数】 ,  ピンチオフ ,  遮断周波数 ,  昇温 ,  Hall効果 ,  *出力 ,  バッファ層 ,  窒化アルミニウム ,  熱抵抗 ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *高出力 ,  *放熱板

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶ダイヤモンド ,  エピタキシャル成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  高周波 ,  高出力